院总经理娄宇出席英诺赛科（苏州）第三代半导体芯片EPC项目设备搬入仪式-北京世源希达工程技术有限公司

9月19日上午，由我公司承接EPC总包的英诺赛科（苏州）第三代半导体芯片项目工艺设备搬入仪式在苏州汾湖隆重举行。

国家集成电路产业投资基金总裁丁文武、江苏省苏州市副市长陆春云、吴江区委书记李铭、吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记万利、吴江区人民政府副区长、汾湖高新区党工委副书记、管委会主任张炳高、吴江区副区长戚振宇、第三代半导体产业联盟秘书长于坤山、中国半导体行业协会原秘书长徐小田，英诺赛科董事长骆薇薇、总经理孙在亨等以及参建单位、合作单位等近400人出席仪式。我院总经理娄宇应邀出席并致辞，公司总经理刘奕、副总经理刘玥及项目部人员参加了搬入仪式。

搬入仪式上，院总经理娄宇对克服了疫情和异常天气带来的不利影响、项目工艺设备如期搬入表示热烈的祝贺，对于业主的信任、项目当地各级政府的关心和支持以及各参建单位的努力付出和团结协作表示衷心的感谢，他表示继续保持高昂的建设激情，与所有建设单位一起努力，在确保品质和安全的前提下，按期交付工厂的所有系统，并为业主的机台安装调试、产能爬升提供最有利的支持和保障。在搬入仪式期间，娄宇总经理与英诺赛科公司董事长骆薇薇博士及相关领导进行了沟通交流。仪式结束后，与公司项目现场全体员工合影留念。

英诺赛科(苏州)半导体芯片项目坐落于苏州市吴江区汾湖高新技术产业开发区，总占地面积368亩，一期建筑总面积16.92万平方米，总投资60亿元。项目近50家承包商参与建设，自2018年6月23日项目奠基开始，历时2年3个月，期间项目团队克服疫情等不利条件的影响，保证了设备如期搬入。

苏州英诺赛科半导体项目聚焦在第三代半导体材料氮化镓，将成为一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。本次搬入的是国际领先的全自动系统，其行星式反应器平台为目前全球最先进的五片8英寸硅基氮化镓生产专业设备，具有极其稳定的工艺流程、高效的实时清洁系统以及对提高良率至关重要的卡匣式装卸装置。随着设备的搬入，标着作为中国“芯”动力的英诺赛科苏州第三代半导体积极进入试生产阶段，也标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成。

院总经理娄宇出席英诺赛科（苏州）第三代半导体芯片EPC项目设备搬入仪式