英诺赛科(苏州)全球研发中心启用仪式隆重举行

   2023年11月20日公司承接的英诺赛科(苏州)半导体有限公司研发楼EPC总承包项目——全球研发中心启用仪式在吴江汾湖隆重举行,电子院总建筑师刘书兴、公司董事长刘奕、副总经理刘玥受邀出席仪式。

img1

英诺赛科(苏州)全球研发中心启用仪式

英诺赛科(苏州)半导体有限公司研发楼项目是继苏州工厂项目后,公司与英诺赛科公司继续深入合作的又一EPC总承包项目。研发楼共计10层,总高49.7米,建筑面积达35700平方米,是集研发、办公、会议、培训、展览、接待、餐饮、交流、休憩等功能于一体的英诺赛科全球研发中心和基地,研发中心的启用是英诺赛科第三代半导体全球化的又一重大里程碑。

英诺赛科(苏州)研发楼EPC总承包项目自2021年11月26日正式开工,2023年11月20全球研发中心正式启用。两年的建造过程中,希达人面对建筑造型独特、结构复杂、异型构件多等多重困难与挑战,继承和发扬敢想敢干、能打苦仗、能打硬仗的拼搏精神,用心超越期望,打造出让客户满意的精品工程,赢得客户的高度信赖和认可。

img2

启用仪式上希达工程项目成员合影

随着项目的成功交付和启用,公司将继续总结经验,提升队伍综合能力,不断开拓进取,创新突破,为公司的高质量发展贡献智慧和力量。

 

 

img3

苏州英诺赛科(苏州)研发中心实景图

 

2023年11月27日 10:20

新闻公告

地址:北京市海淀区万寿路27号
电话:010-68207516(行政部)
传真:010-68221243(行政部)
010-68200041(市场部)
010-68200041(市场部)
邮编:100840
dgc@ceedi.cn
新闻公告
邮箱:
x